不需要EUV光刻机：铠侠开发NIL半导体工艺

芯研所10月23日消息，日本铠侠公司结合股伴开辟了新的工艺，可以不应用EUV光刻机，工艺直达5nm。据日媒报导，铠侠从2017年开端与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技巧(NIL)的量产技巧，铠侠已控制15nm量产技巧，今朝正在进行15nm以下技巧研发，估计2025年杀青。

与今朝已实用化的极紫外光(EUV)半导体系体例程细微化技巧比拟，NIL加倍削减耗能且大年夜幅降低设备成本。因NIL的微影制程较纯真，耗电量可压低至EUV临盆方法的10%，并让设备投资降低至40%。而EUV设备由ASML独家临盆供给，不只价格高，且须要很多检测设备合营。

今朝NIL在量产上仍有不少问题有待解决，包含更轻易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。假如铠侠能成功率先引进NIL量产技巧，可望弥补在设备投资比赛中的晦气局面，又能相符削减碳排放的需求。对铠侠来说，NAND组件采取3D堆叠立体构造，更轻易因应NIL技巧的微影制程。铠侠表示，已解决NIL的根本技巧问题，正在完美量产技巧，欲望能率先引入NAND临盆。根据DNP说法，NIL技巧电路精细程度可达5nm，DNP从2021年春起，根据设备的规格值进行内部仿真。DNP泄漏，从半导体系体例造商询问增长，显示不少厂商对NIL技巧寄予厚望。

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